Тел.: +7 (4852) 32-05-24, 32-09-24
E-mail: [email protected]
Ярославль, пр. Ленина, 15
Навигация:ГлавнаяАналитическое оборудованиеДетекторыОдноканальные твердотельные детекторы

Одноканальные твердотельные детекторы

Одноканальные твердотельные детекторы

Артикул: HB-26

Цена: предоставляется по запросу

Задать вопрос по оборудованию

HORIBA Scientific предлагает высококачественные твердотельные детекторы – полупроводниковые оптоэлектронные устройства, которые могут генерировать только один электрический сигнал. При сравнительно небольшой стоимости они имеют достаточно высокую чувствительность и эффективность. Их спектральные диапазоны в зависимости от типа и конструкции варьируются от 200 нм до 20 мкм. Могут выполняться без охлаждения, с термоэлектрическим охлаждением и с охлаждением жидким азотом.

Различают фотоэмиссионные детекторы (фотодиоды), фотопроводящие детекторы (фоторезисторы) и двухцветные детекторы:

  • Фотоэмиссионные детекторы – это быстрые и чувствительные датчики, которые не требуют применения усилителя и прерывателя (за исключением некоторых приложений). Верхняя граница их спектрального диапазона ограничена приблизительно 5 мкм.
  • Фотопроводящие детекторы медленнее и не так чувствительны, но их спектральный диапазон в ИК области достигает 12 мкм и выше. Для них требуются прерыватель и усилитель. Популярным детектором такого типа является MCT (HgCdTe) ртуть-кадмий-теллур.
  • Так называемые двухцветные детекторы представляют собой датчики с конструкцией «сэндвич», как правило, с кремниевым детектором впереди и детектором другого типа сзади. Кремний работает до 1,1 мкм; в более длинноволновой области он становится прозрачным, и в работу включается второй детектор. Двухцветные датчики с PbS и PbSe требуют наличия прерывателя и усилителя.

Для максимизации чувствительности HORIBA Scientific предлагает специальный корпус для использования со всеми твердотельными детекторами в ИК диапазоне. Корпус включает эллиптическое зеркало, которое концентрирует сигнал в соотношении 6:1 в направлении 90 градусов от оптической оси. При использовании зеркальной оптики энергия фокусируется на детекторе для всех длин волн.

Тип Охлаждение Спектральный диапазон Эквивалентная мощность шума (NEP) Примечание

Фотоэмиссионные детекторы

Кремниевый (Si) 0,2 – 1,1 мкм Нет предусилителя. Большая площадь 10х10 мм. NEP определяется аналоговым входом.
Германиевый (Ge) 0,8 – 1,8 мкм 7x10-13 Предусилитель. Требует ±15 В.
Германиевый (Ge) Пельтье 0,8 – 1,75 мкм 5x10-14 Предусилитель. Требует ±15 В.
Германиевый (Ge) Жидкий азот 0,8 – 1,5 мкм 2,5x10-15
Индий галий арсенид (InGaAs) 0,8 – 1,7 мкм 6x10-14 Предусилитель. Требует ±15 В.
Индий галий арсенид (InGaAs) Пельтье 0,8 – 1,65 мкм 1x10-14 Предусилитель. Требует ±15 В.
Индий галий арсенид (InGaAs) Жидкий азот 0,8 – 1,6 мкм 1x10-15 Предусилитель. Требует ±15 В.
Арсенид индия (InAs) 1 – 3,6 мкм 2x10-10 Предусилитель. Требует ±15 В.
Арсенид индия (InAs) Пельтье 1 – 3,55 мкм 1x10-11 Предусилитель. Требует ±15 В.

Фотопроводящие детекторы

Сульфид свинца (PbS) 1 – 3 мкм 2x10-12 Предусилитель. Требует ±15 В. Скорость прерывателя 100–500 Гц.
Сульфид свинца (PbS) Пельтье 1 – 3 мкм 1x10-12 Предусилитель. Требует ±15 В. Скорость прерывателя 100–500 Гц.
Селенид свинца (PbSe) Пельтье 1 – 5 мкм 2x10-11 Предусилитель. Требует ±15 В. Скорость прерывателя 1 KГц.
Ртутно-кадмиевый теллурид (HgCdTe) Пельтье 1 – 5 мкм 1x10-11 Предусилитель. Требует ±15 В. Скорость прерывателя 1 KГц.
Ртутно-кадмиевый теллурид (HgCdTe) Пельтье 1 – 10 мкм 1x10-8 Предусилитель. Требует ±15 В. Скорость прерывателя 2–10 KГц.
Ртутно-кадмиевый теллурид (HgCdTe) Жидкий азот 1 – 14 мкм 6x10-12 Предусилитель. Требует ±15 В. Скорость прерывателя 2–14 KГц.
Ртутно-кадмиевый теллурид (HgCdTe) Жидкий азот 1 – 20 мкм 2x10-11 Предусилитель. Требует ±15 В. Скорость прерывателя 2–20 KГц.

Двухцветные детекторы

Si/InGaAs 0,3 – 1,7 мкм Предусилитель. Требует ±15 В.
Si/InGaAs Пельтье 0,3 – 1,65 мкм Предусилитель. Требует ±15 В.
Si/Ge Пельтье 0,3 – 1,75 мкм Предусилитель. Требует ±15 В.
Si/PbS Пельтье 0,3 – 3 мкм Предусилитель. Требует ±15 В.
Si/PbSe Пельтье 0,3 – 5 мкм Предусилитель. Требует ±15 В.
Si/InAs 0,3 – 3,6 мкм Предусилитель. Требует ±15 В.
Si/InAs Пельтье 0,3 – 3,55 мкм Предусилитель. Требует ±15 В.

Задать вопрос

Нажимая кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных