Навигация:ГлавнаяДля ВУЗов, техникумов и ПУФизикаУчебные установки

Учебные установки

АртикулФотоНаименование
Вводные работы
ФВЛ - 1Изучение работы электронного осциллографа
ФВЛ - 2Изучение статических методов обработки данных
Квантовая физика
ФКЛ-2М-1КАтом в магнитном поле. Установка для изучения эффекта Зеемана
ФКЛ-2М-1Атом в магнитном поле. Установка для изучения эффекта Зеемана
ФКЛ-15Закон Стефана-Больцмана. Изучение зависимости энергетической светимости нагретого тела от температуры.
ФКЛ-11Изучение внешнего фотоэффекта и определение постоянной Планка при помощи вольт-амперной характеристики вакуумного фотоэлемента
ФКЛ-11МИзучение внешнего фотоэффекта и определение постоянной Планка при помощи вольт-амперной характеристики вакуумного фотоэлемента
ФКЛ-11УИзучение внешнего фотоэффекта. Законы Столетова для фотоэффекта
ФКЛ-9Изучение зависимости сопротивления металлов от температуры. Определение температурного коэффициента сопротивления металлов
ФКЛ-10Изучение зависимости сопротивления полупроводника от температуры. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника
ФКЛ-1М-1Изучение изотопической структуры спектральных линий. Изотопический сдвиг в спектре атомов водорода и дейтерия
ФКЛ-1М-1КИзучение изотопической структуры спектральных линий. Изотопический сдвиг в спектре атомов водорода и дейтерия.
ФКЛ-8Изучение рассеяния электронов на атомах ксенона. Определение глубины и ширины потенциальной ямы с помощью эффекта Рамзауэра
ФКЛ-4Изучение спектра атома ртути. Изучение тонкой структуры спектральных линий атома ртути
ФКЛ-3Изучение спектров инертных газов
ФКЛ-2Изучение спектров щелочных металлов на примере спектра атома натрия. Изучение тонкой структуры спектральных линий атома натрия.
ФКЛ-18Изучение электронно-дырочного перехода. Изучение вольт-амперной характеристики p-n перехода.
ФКЛ-5Изучение элементов туннельного эффекта с помощью полупроводникового туннельного диода (статический режим)
ФКЛ-5УИзучение элементов туннельного эффекта с помощью полупроводникового туннельного диода в динамическом режиме.
ФКЛ-4М-1Исследование плазмы положительного столба тлеющего разряда методом зондов Ленгмюра.
ФКЛ-22Исследование спектров поглощения и пропускания света
ФКЛ-17 RVDЛабораторный комплекс "Фотопроводитмость полупроводников". Изучение внутреннего фотоэффекта с помощью полупроводникового фотодиода и фоторезистора.
ФКЛ-14МОпределение заряда электрона с помощью эффекта Шотки
ФКЛ-4МОпределение концентрации возбужденных атомов в газоразрядной плазме оптическим методом. Определение температуры газоразрядной плазмы методом сравнения интенсивностей спектральных линий.
ФКЛ-7Определение потенциала возбуждения и ионизации атомов ртути (инертного газа) методом электронного удара.
ФКЛ-12Определение работы выхода электронов из металла при помощи вольт-амперной характеристики вакуумного диода
ФКЛ-6Определение резонансного потенциала атома инертного газа (ртути). Опыт Франка и Герца
ФКЛ-6УОпределение резонансного потенциала атома инертного газа (ртути). Опыт Франка и Герца
ФКЛ-14Определение удельного заряда электрона методом магнетрона
ФКЛ-16Определение ширины запирающего слоя p-n перехода и концентрации примеси в области лавинного пробоя
ФКЛ-21Определение ширины запрещённой зоны полупроводника по фотоэмиссии
ФКЛ-20Полупроводниковые оптические генераторы. Определение постоянной Планка на основе измерения напряжения включения полупроводниковых излучающих светодиодов и полупроводникового лазера
ФКЛ-1М-СУстановка для изучения спектра атома водорода с помощью учебного призменного спектроскопа. Определение постоянной Ридберга (Планка) по спектру атома водорода. Изучение основных приёмов работы с призменными оптическими приборами
ФКЛ-1Установка для изучения спектра атома водорода. Определение постоянной Ридберга (Планка) по спектру атома водорода
ФКЛ-17Фотопроводимость полупроводников. Изучение внутреннего фотоэффекта с помощью полупроводникового фотодиода
ФКЛ-17МФотопроводимость полупроводников. Изучение внутреннего фотоэффекта с помощью полупроводникового фоторезистора.
Медицинская и биологическая физика
ФМБ - 2Измерение температуры термопарой
ФМБ - 3Измерение температуры терморезистором
ФМБ - 8Изучение импеданса. Определение импеданса биологического объекта
ФМБ-10Изучение принципов работы электромиографа
ФМБ - 9Изучение принципов работы электроэнцефалографа
ФМБ - 6Изучение работы медицинских ламп
ФМБ - 5Изучение электронных усилителей. Изучение возможных искажений электрических сигналов в электронных усилителях
ФМБ - 4Определение чувствительности фотоэлемента
ФМБ - 1Снятие спектральной характеристики уха на пороге слышимости
ФМБ - 7Электрокардиография. Изучение работы электрокардиографа
Физические основы измерений
ФОИ-5Лабораторный комплекс "Аналоговая схемотехника"
ФОИ-4Лабораторный комплекс "Микропроцессорные системы автоматизации"
ФОИ-3Лабораторный комплекс "Микросхемотехника и микропроцессорная техника"
ФОИ-1Лабораторный комплекс "Современные средства измерений, преобразователи и датчики"
ФОИ-6Лабораторный комплекс "Фотоэлектрические и оптические измерения"
ФОИ-2Лабораторный комплекс "Цифровые измерительные устройства"
Электричество и магнетизм
ФЭЛ-19Измерение импеданса электрической цепи переменного тока. Проверка закона Ома для цепи переменного тока
ФЭЛ-10Измерение индуктивности тороида с ферромагнитным сердечником
ФЭЛ-9Измерение сопротивлений при помощи моста постоянного тока
ФЭЛ-2Изучение затухающих колебаний
ФЭЛ-3Изучение магнитного поля соленоида с помощью датчика Холла
ФЭЛ-7Изучение полупроводниковых выпрямителей
ФЭЛ-18Изучение принципов работы полупроводникового транзистора
ФЭЛ-5Изучение работы вакуумного диода. Распределение термоэлектронов по скоростям.
ФЭЛ-16Изучение релаксационных колебаний
ФЭЛ-20Изучение скин-эффекта резонансным методом
ФЭЛ-6Изучение терморезистора. Определение температурного коэффициента сопротивления терморезистора
ФЭЛ-8Изучение электростатического поля. Эквипотенциальные поверхности
ФЭЛ-3МИзучение эффекта Холла в полупроводниках
ФЭЛ-11Изучение явления гистерезиса ферромагнетиков
ФЭЛ-1Изучение явления резонанса в последовательном и параллельном колебательном контуре
ФЭЛ-14Исследования сдвига фаз в цепи переменного тока
ФЭЛ-4Определение точки Кюри ферромагнетика
ФЭЛ-15Определение удельного заряда электрона при помощи вольт-амперной характеристики ненасыщенного вакуумного диода
ФЭЛ-15МОпределение удельного заряда электрона с помощью дробового эффекта
ФЭЛ-12Определение частоты при помощи фигур Лиссажу
ФЭЛ-21Петля гистерезиса сегнетоэлектриков. Изучение свойств сегнетоэлектриков
ФЭЛ-11МСнятие основной кривой намагничивания ферромагнетика (статический режим)
ФЭЛ-17Термоэлектричество. Эффект Зеебека

Задать вопрос