Квантовая физика

АртикулФотоНаименование
ФКЛ-2М-1КАтом в магнитном поле. Установка для изучения эффекта Зеемана
ФКЛ-2М-1Атом в магнитном поле. Установка для изучения эффекта Зеемана
ФКЛ-15Закон Стефана-Больцмана. Изучение зависимости энергетической светимости нагретого тела от температуры.
ФКЛ-11Изучение внешнего фотоэффекта и определение постоянной Планка при помощи вольт-амперной характеристики вакуумного фотоэлемента
ФКЛ-11МИзучение внешнего фотоэффекта и определение постоянной Планка при помощи вольт-амперной характеристики вакуумного фотоэлемента
ФКЛ-11УИзучение внешнего фотоэффекта. Законы Столетова для фотоэффекта
ФКЛ-9Изучение зависимости сопротивления металлов от температуры. Определение температурного коэффициента сопротивления металлов
ФКЛ-10Изучение зависимости сопротивления полупроводника от температуры. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника
ФКЛ-1М-1Изучение изотопической структуры спектральных линий. Изотопический сдвиг в спектре атомов водорода и дейтерия
ФКЛ-1М-1КИзучение изотопической структуры спектральных линий. Изотопический сдвиг в спектре атомов водорода и дейтерия.
ФКЛ-8Изучение рассеяния электронов на атомах ксенона. Определение глубины и ширины потенциальной ямы с помощью эффекта Рамзауэра
ФКЛ-4Изучение спектра атома ртути. Изучение тонкой структуры спектральных линий атома ртути
ФКЛ-3Изучение спектров инертных газов
ФКЛ-2Изучение спектров щелочных металлов на примере спектра атома натрия. Изучение тонкой структуры спектральных линий атома натрия.
ФКЛ-18Изучение электронно-дырочного перехода. Изучение вольт-амперной характеристики p-n перехода.
ФКЛ-5Изучение элементов туннельного эффекта с помощью полупроводникового туннельного диода (статический режим)
ФКЛ-5УИзучение элементов туннельного эффекта с помощью полупроводникового туннельного диода в динамическом режиме.
ФКЛ-4М-1Исследование плазмы положительного столба тлеющего разряда методом зондов Ленгмюра.
ФКЛ-22Исследование спектров поглощения и пропускания света
ФКЛ-17 RVDЛабораторный комплекс "Фотопроводитмость полупроводников". Изучение внутреннего фотоэффекта с помощью полупроводникового фотодиода и фоторезистора.
ФКЛ-14МОпределение заряда электрона с помощью эффекта Шотки
ФКЛ-4МОпределение концентрации возбужденных атомов в газоразрядной плазме оптическим методом. Определение температуры газоразрядной плазмы методом сравнения интенсивностей спектральных линий.
ФКЛ-7Определение потенциала возбуждения и ионизации атомов ртути (инертного газа) методом электронного удара.
ФКЛ-12Определение работы выхода электронов из металла при помощи вольт-амперной характеристики вакуумного диода
ФКЛ-6Определение резонансного потенциала атома инертного газа (ртути). Опыт Франка и Герца
ФКЛ-6УОпределение резонансного потенциала атома инертного газа (ртути). Опыт Франка и Герца
ФКЛ-14Определение удельного заряда электрона методом магнетрона
ФКЛ-16Определение ширины запирающего слоя p-n перехода и концентрации примеси в области лавинного пробоя
ФКЛ-21Определение ширины запрещённой зоны полупроводника по фотоэмиссии
ФКЛ-20Полупроводниковые оптические генераторы. Определение постоянной Планка на основе измерения напряжения включения полупроводниковых излучающих светодиодов и полупроводникового лазера
ФКЛ-1М-СУстановка для изучения спектра атома водорода с помощью учебного призменного спектроскопа. Определение постоянной Ридберга (Планка) по спектру атома водорода. Изучение основных приёмов работы с призменными оптическими приборами
ФКЛ-1Установка для изучения спектра атома водорода. Определение постоянной Ридберга (Планка) по спектру атома водорода
ФКЛ-17Фотопроводимость полупроводников. Изучение внутреннего фотоэффекта с помощью полупроводникового фотодиода
ФКЛ-17МФотопроводимость полупроводников. Изучение внутреннего фотоэффекта с помощью полупроводникового фоторезистора.

Задать вопрос