Навигация:Главная›Для ВУЗов, техникумов и ПУ›Электротехника и основы электроники›Физическая электроника, основы электронной техники›ФОЭЛ-1(У) Контактные явления в полупроводниках
ФОЭЛ-1(У) Контактные явления в полупроводниках
 Артикул: ТП-135 Цена: предоставляется по запросу |
| Лабораторный модуль представляет собой комплекс для изучения основных характеристик p-n перехода. Экспериментально получаемые вольтамперные характеристики p-n перехода при различной температуре сравниваются с теоретическими расчётами. Определяется электроёмкость двойного электрического слоя p-n-перехода при различных внешних напряжениях, прикладываемых к переходу (вольт-фарадная характеристика). Оцениваются основные параметры перехода — ток насыщения и потенциальный барьер. Изучаются основные механизмы пробоя p-n перехода и оценивается ширина запирающего слоя и концентрация примесей в полупроводнике. Комплекс может быть выполнен как для изучения основных характеристик в статическом режиме по точкам (ФОЭЛ-1), так и для работы с осциллографом в динамическом режиме (ФОЭЛ-1У). ← Назад |